Samsung
Samsung

A pesar de que Samsung es más conocido por sus teléfonos móviles, uno de sus potenciales negocio es el de los semiconductores. En este lado la compañía ha presentado hoy al el primer chip de 512GB integrado en la industria de almacenamiento flash universal (eUFS). Los chips constan de ocho chips V-NAND de 64-capas, 512GB y un chip controlador. Duplica la densidad de los 256 chips eUFS anteriores de 48 capas de Samsung y ocupa la misma cantidad de espacio.

Samsung-512GB-eUFS

Samsung invierte mucho dinero en este campo y en pantallas OLED para mantenerse por delante de la competencia. De hecho Samsung es el mayor fabricante de chips de memoria en el mundo. Con la esperanza de mantenerse en el primer lugar en el futuro, la compañía ha anunciado sus planes de invertir al menos 18.6 mil millones de dolares en estos campos. Calderilla…

El nuevo chip es capaz de pasar un vídeo de 5GB en tan solo seis segundos

Según las cifras suministradas por Samsung, el rendimiento de lectura/escritura es impresionante. Las velocidades de lectura secuencial alcanzan hasta 860 MB/s y las velocidades de escritura son de hasta 255 MB/s. Samsung dice que los chips transferirán un vídeo de 5GB a una SSD en aproximadamente seis segundos, espectacular. Eso es ocho veces más rápido que una tarjeta microSD típica. El nuevo eUFS también puede leer 42,000 IOPS y escribir 40,000 IOPS para operaciones aleatorias, que es aproximadamente 400 veces más rápido que una tarjeta microSD. Es de esperar que el almacenamiento UFS sea más rápido que una tarjeta microSD, pero esto es impresionantemente rápido.

chip-almacenamiento-512gb-samsung-comic

 

Las memorias eUFS de 512GB llegarían en 2018

Samsung dice que va a aumentar constantemente su volumen de producción para chips V-NAND de 512 GB y 256 GB. Describe el volumen de producción como “agresivo”, lo que nos da la esperanza de que veremos teléfonos topes de gama en 2018 con estos chips de 512 GB incluidos. Los chips también llegarán a automóviles, portátiles, tablets y otros dispositivos que necesiten almacenamiento de alta capacidad y de alta eficiencia energética.